| 型号： | MMDT5551-7-F | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Diodes Inc | 描述： | TRANS NPN BIPOL DUAL 160V SOT363 |
详细参数 |
数值 |
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| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 阵列 |
| MMDT5551-7-F PDF |  |
| 产品变化通告 | Encapsulate Change 09/July/2007 |
| 其它图纸 | SOT-363 Package Top SOT-363 Package Side 1 SOT-363 Package Side 2 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 系列 | - |
| 晶体管类型 | 2 NPN（双） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 200mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 160V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 200mV @ 5mA，50mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 80 @ 10mA，5V |
| 功率 - 最大 | 200mW |
| 频率 - 转换 | 300MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装 | SOT-363 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 产品目录页面 | 1576 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | MMDT5551-FDITR |